会場名 |
S会場 |
第Ⅰ会場 |
第Ⅱ会場 |
第Ⅲ会場 |
第Ⅳ会場 |
第Ⅴ会場 |
第Ⅵ会場 |
第Ⅶ会場 |
第Ⅷ会場 |
第Ⅸ会場 |
第Ⅹ会場 |
部屋番号 |
2B101 |
4101 |
4102 |
4103 |
4104 |
4105 |
4106 |
4201 |
4202 |
4203 |
4204 |
席数 |
492 |
120 |
60 |
120 |
120 |
120 |
63 |
172 |
172 |
63 |
63 |
9:00-9:15 |
S1(前半) レーザー技術が支える自動車産業
座長:塚本雅裕 (大阪大) |
E4 デバイス応用
座長:岩見健太郎 (東京農工大) |
H2 光波面計測・制御
座長:成瀬 誠 (NICT) |
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C4 高輝度X線
座長:神門正城 (原研) |
I4 光音響
座長:石井克典 (大阪大) |
G4 光デバイス技術
座長:津田裕之 (慶應義塾大) |
B4 ファイバレーザーⅠ
座長:西澤典彦 (名古屋大) |
D7 フェムト秒レーザー誘起微細構造
座長:寺川光洋 (慶應義塾大) |
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F4 光制御
座長:梅木毅伺 (NTT) |
9:15-9:30 |
A4 凝縮系ダイナミクス
座長:藤 貴夫 (分子研) |
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9:30-9:45 |
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9:45-10:00 |
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10:00-10:15 |
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10:15-10:30 |
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10:30-10:45 |
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I5 分光Ⅰ
座長:大嶋佑介 (愛媛大) |
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10:45-11:00 |
S1(後半) レーザー技術が支える自動車産業
座長:甲藤正人 (宮崎大) |
E5 非線形分光
座長:川田善正 (静岡大) |
H3 画像処理・超解像技術
座長:早崎芳夫 (宇都宮大) |
A5 原子・分子ダイナミクスⅠ
座長:関川太郎 (北海道大) |
C5 高エネルギー密度科学
座長座長:三浦永祐 (産総研) |
G5 光増幅技術
座長:杉原隆嗣 (三菱電機) |
B5 ファイバレーザーⅡ
座長:藤本 靖 (大阪大) |
D8 表面プロセス
座長:寺川光洋 (慶應義塾大) |
B8 レーザー制御Ⅰ
座長:鍋川康夫 (理研) |
F5 非線形・有機光学材料
座長:田邉孝純 (慶應義塾大) |
11:00-11:15 |
11:15-11:30 |
11:30-11:45 |
11:45-12:00 |
12:00-12:15 |
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12:15-12:30 |
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12:30-12:45 |
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12:45-13:00 |
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13:00-13:15 |
S2(前半) レーザー照明・ディスプレイの輝く未来
座長:石野正人 (パナソニック) |
S4(前半) X線自由電子レーザーの高輝度化がもたらすレーザー科学と放射光科学の融合
座長:犬伏雄一 (高輝度研) |
E6 プラズモニクス・計測
座長:庄司 暁 (電通大) |
A6 原子・分子ダイナミクスⅡ
座長:板倉隆二 (原研) |
C6 高強度レーザー科学
座長:小栗克弥 (NTT) |
I6 分光Ⅱ
座長:盛田伸一 (東北大) |
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B6 レーザービーム制御
座長:小林洋平 (東京大) |
D9 レーザー加工・機能創成
座長:宮地悟代 (東京農工大) |
B9 レーザー制御Ⅱ
座長:須田 亮 (東理大) |
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13:15-13:30 |
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13:30-13:45 |
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13:45-14:00 |
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14:00-14:15 |
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14:15-14:30 |
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14:30-14:45 |
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14:45-15:00 |
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S4(後半) X線自由電子レーザーの高輝度化がもたらすレーザー科学と放射光科学の融合
座長:佐野智一 (大阪大) |
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15:00-15:15 |
S2(後半) レーザー照明・ディスプレイの輝く未来
座長:八木哲哉 (三菱電機) |
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15:15-15:30 |
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A7 テラヘルツ制御・ナノフォトニクス
座長:神田夏輝 (理研) |
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B7 高出力レーザー材料
座長:白川 晃 (電通大) |
D10 ナノ・マイクロ構造
座長:宮地悟代 (東京農工大) |
B10 短パルスレーザー
座長:吉富 大 (産総研) |
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15:30-15:45 |
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15:45-16:00 |
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16:00-16:15 |
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16:15-16:30 |
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16:30-16:45 |
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16:45-17:00 |
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