レーザー学会第461回研究会
「材料デバイスサマーミーティング」のご案内

 

日時2014 620() 10:30 - 17:05
場所:機械振興会館 地下3階研修2号室
交通URL: http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html

テーマ:アクティブデバイスと集積化技術,一般

担当委員:栗村直(物質・材料研究機構 物質研究所/ナノマテリアル研究所)

TEL: 029-860-4365

E-mail: skurimura@nifty.com

プログラム
6
20() 午前  セッション1(10:30 - 13:50
10:30-10:35
開会挨拶 ( 5分 )
1
10:35-11:00
 LASER ASSIST法によるカーボンナノチューブ構造制御の検討
 ○渡辺克樹・高井裕司(東京電機大)・赤羽浩一・山本直克(NICT
2
11:00-11:25
 CNT含有シリコンスロット導波路の作製と非線形光学特性
 ○山田佐代子・福田晃士・桑江博之(早大)・水野 潤(早大ナノ理工)・高島 正(吉田機械興業)

・大野翔太郎(早大)・松島裕一(早大GCS)・石川 浩・宇高勝之(早大)
3
11:25-11:50
 高非線形TiO2光導波路による広波長帯域光発生
 ○北 智洋・内島晃司・藪野正裕・片山竜二・枝松圭一・山田博仁(東北大)
11:50-13:00
休憩 ( 70分 )
4
13:00-13:50
特別講演

半導体パワーデバイスの進展と今後の展開

上田大助(京都工繊大)
13:50-14:00
休憩 ( 10分 )


6
20() 午後  セッション2(14:00 - 15:40
5
14:00-14:25
 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光
 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦(上智大)
6
14:25-14:50
 Tバンド及びOバンド用平坦スペクトル応答を有するアレイ導波路回折格子の設計
 ○*ナズィルル アファム イドリス・浅倉秀明・津田裕之(慶大)
7
14:50-15:15
 1.3μmInGaAlAs MQW RS-BH DFBレーザによる56Gb/s直接変調の検討
 ○中原宏治・若山雄貴・北谷 健・谷口隆文(日立)・深町俊彦・佐久間 康(オクラロ)・田中滋久(日立)
8
15:15-15:40
 リニアドライバIC内蔵の224Gb/s DP-16QAM小型変調器モジュール開発
 ○巽 泰三・板橋直樹・五十川知子・河野直哉・関 守弘・田中啓二・山路和宏・藤村 康・上坂勝己

・中林隆志・小路 元・荻田省一(住友電工)
15:40-15:50
休憩 ( 10分 )


6
20() 午後  セッション3(15:50 - 17:05
9
15:50-16:15
 Low Driving Voltage Electro-absorption Modulator Laterally Integrated with VCSEL
 Hamed DalirYuta TakahashiFumio KoyamaTokyo Tech
10
16:15-16:40
 全光倫理ゲート素子に向けた多重積層量子ドットSOA及び組成拡散導波路の集積化の検討
 ○武井勇樹・松本 敦・松下明日香(早大)・赤羽浩一(NICT)・松島裕一(早大GCS機構)・石川 浩

・宇高勝之(早大)
11
16:40-17:05
III-V CMOS
フォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ
 ○一宮佑希・横山正史(東大)・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦(住友化学)・竹中 充・高木信一(東大)


17:05-17:10
閉会の挨拶 ( 5分 )