レーザー学会 第519回研究会
「固体･半導体レーザー」のご案内

日　時：2018年 5月24日(木) 13:30～16:20，5月25日(金) 9:30～15:10
場　所：芦原温泉清風荘（http://www.seifuso.com/）
　(〒910-4198　福井県あわら市温泉3丁目 803)
交　通：http://www.seifuso.com/access/
内　容：量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザー，光エレクトロニクス，および一般
共　催：電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
　専門委員長　浜本 貴一 (九大), 副委員長 有賀 博 (三菱電機)
　幹事　八木 英樹 (住友電工)，川北 泰雅 (古河電工)
　幹事補佐　永井正也 (阪大)
　(http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html)
協　賛：福井大学国際光学会(OSA, The Optical Society)学生支部，
　同国際光工学会(SPIE-The international Society for Optical Engineering)学生支部，
　同国際電気電子学会(IEEE, The Institute of Electrical and Electronics Engineers)学生支部
　各国際学会学生支部に関する情報は，下記のホームページを御覧下さい．
　国際光学会学生支部
　http://www.osa.org/en-us/membership_education/student_services/student_chapter_benefits/
　国際光工学会(SPIE)学生支部
　https://spie.org/membership/student-members/student-chapters
　国際電気電子学会(IEEE)学生支部
　http://ieee-jp.org/activity/activity.html
　講演時間：発表 20 分＋質疑応答 5 分
聴講参加費：

詳しくは下記の聴講参加登録のホームページを御覧下さい．
　https://www.ieice.org/ken/user/index.php?cmd=participation&tgs_regid=e98d837547922a9d1b917041fac663dec1b05e754804f581c08c049edac41c6a

現地世話人：福井大学　川戸　栄
　TEL 0776-27-8564 FAX 0776-27-8749
ポスターセッション：研究会初日にポスタセッションを行います．詳しくは下記の講演登録のホームページを御覧下さい．学生および若手研究者を対象としたポスター賞もございます。ふるってお申し込み下さい．
講演登録期限：5月11日，ポスター講演費用：無料
　http://www.ieice.org/~lqe/jpn/2018MayAwaraonsen/postersession.html
懇親会：研究会初日のセッション終了後，同会場旅館にて懇親会を行います．ふるってご参加下さい．
宿泊予約・懇親会など：宿泊予約，懇親会参加は，電子情報通信学会の下記ホームページより直接お申し込み下さい．
http://www.ieice.org/~lqe/jpn/2018MayAwaraonsen/index.html
プログラム：
初日：5月24日(木) 午後 (13：30-16:20)
13:30-13:35 開会挨拶 (5分)

レーザー・デバイス応用(13:35-14:50)
(1) 13:35-14:00 コンパクトな高平均出力パルスレーザーの開発
○東口武史・山内　駿・篠崎夏美・小倉拓人・庄司美咲・川崎太夢(宇都宮大)・坂上和之(早大)・三浦泰祐 (HiLASE Centre)

(2) 14:00-14:25 サブ回折限界集光を用いたホログラフィックフェムト秒レーザー加工
○長谷川智士・早崎芳夫(宇都宮大)

(3) 14:25-14:50 Optical Wireless Power Transmission to Moving Object by Computer Vision
○Hendra Adinanta・Hirotaka Kato・Alexander William Setiawan Putra・Takeo Maruyama (Kanazawa Univ.)

14:50-15:20 休憩 (30分)

15:20-16:20 ポスターセッション (60分)

2日目：5月25日(金) 午前 (9:30-11:20)，午後 (13:00-15:30)

半導体光デバイス (09:30-11:20)
(4) 09:30-10:30 ［特別招待講演］アクティブMMIレーザによるモード選択光源 ～ モード選択原理とTbpsを目指した高速動作 ～
○浜本貴一・姜　海松(九大)

(5) 10:30-10:55 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子干渉現象の観測
○小島　磨(神戸大)

(6) 10:55-11:20 結晶方位を45度回転させたSOI基板上へのナノ共振器シリコンラマンレーザの作製
○山内悠起子(阪府大)・岡野　誠(産総研)・野田　進(京大)・高橋　和(阪府大)

11:20-13:00 休憩 (100分)

通信用デバイス (13:00-15:05)
(7) 13:00-13:25 混合変調レーザにおける高速変調時のチャープ特性
○菅野光成・三枝　慈・横田信英(東北大)・石井啓之(NTT)・八坂　洋(東北大)

(8) 13:25-13:50 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較
○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓　旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦(上智大)

(9) 13:50-14:15 8ch 直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積
○西　英隆・藤井拓郎・ディアモントポロス ニコラオス パンテレイモン・武田浩司・菅野絵理奈・硴塚孝明・土澤　泰・福田　浩・松尾慎治(NTT)

(10) 14:15-14:40 4-chリニアドライバを用いた200-Gbit/s DML集積TOSA開発
○板橋直樹・杉本良之・藤村　康・田中啓二・荻田省一(住友電工)

(11) 14:40-15:05 光増幅器モノリシック集積位相変調器
○堀口裕一郎・外間洋平・高林正和・林　周作・阿部憲一・西川智志・秋山浩一・廣瀬芙紀子・佐野勇人・望月敬太・福永圭吾・松本啓資・石村栄太郎(三菱電機)

15:05-15:30 閉会挨拶 (25分)