レーザー学会第505回研究会
「固体・半導体レーザー」のご案内

日 時:2017年 5月25日(木) 13:05~17:20
   2017年 5月26日(金) 09:00~15:50
場 所:葉渡莉(山代温泉)
http://hatori.jp/
(〒922-0254 石川県加賀市山代温泉通り17)
交 通:http://hatori.jp/access/
内 容:量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般
共 催:電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
専門委員長 野田 進(京都大学), 副委員長 山本 剛之(富士通)
幹事 藤原 直樹(NTT), 副幹事 片桐 崇史(東北大学)
http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
協 賛:福井大学国際光学会(OSA, The Optical Society)学生支部,
同国際光工学会(SPIE-The international Society for Optical Engineering)学生支部,
同国際電気電子学会(IEEE, The Institute of Electrical and Electronics Engineers)学生支部
各国際学会学生支部に関する情報は以下のWebサイトを御覧ください.
国際光学会学生支部
http://www.osa.org/en-us/membership_education/student_services/student_chapter_benefits/
国際光工学会(SPIE)学生支部
https://spie.org/membership/student-members/student-chapters
国際電気電子学会(IEEE)学生支部
http://ieee-jp.org/activity/activity.html
講演時間:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
参加費:無料(但し講演資料は有料)参加予約不要.当日会場にて受付
現地世話人:金沢大学 丸山武男
TEL/FAX 076-234-4886
懇親会およびランプセッション:研究会初日のセッション終了後,同会場旅館にて懇親会およびランプセッションを行います.このセッションのテーマは新材料探索とその光デバイス化,また,各講演のテーマは以下の通りです.ふるってご参加下さい.
・プラズモニクス,メタマテリアル:高原淳一(大阪大学)
・ペロブスカイト半導体の光学特性・励起状態ダイナミクス:山田泰裕(千葉大学)
・窒化物半導体を用いた量子構造とその光学特性:小島一信(東北大学)
・有機半導体デバイス(太陽電池・トランジスタ・ダイオードなど):嘉治寿彦(東京農工大学)
・超短パルスレーザー:桐山博光(量子科学技術研究機構)
宿泊予約など:宿泊予約,懇親会参加は,電子情報通信学会の下記Webより直接お申し込み下さい.http://www.ieice.org/~lqe/jpn/201705kaga/index.html
プログラム:
初日:5月25日(木) 午後 (13:00-17:20)
13:00-13:05 開会挨拶 (5分)

新材料1 (13:00-13:55)
(1) 13:05-13:30 [招待講演]窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測
○小島一信(東北大)
(2) 13:30-13:55 表面電流駆動型空間光変調効果の発現とその応用
○竪 直也(九大)

13:55-14:10 休憩 (15分)

新材料2 (14:10-15:25)
(3) 14:10-14:35 [招待講演]ハロゲン化金属ペロブスカイト半導体の光物理 ~ 太陽電池から光デバイス応用まで ~
○山田泰裕(千葉大)・金光義彦(京大)
(4) 14:35-15:00 [招待講演]有機太陽電池材料とその真空蒸着時の液体導入による結晶化
○嘉治寿彦(東京農工大)
(5) 15:00-15:25 [招待講演]プラズモニック材料の現状と展望
○高原淳一(阪大)

15:25-15:40 休憩 (15分)

レーザー応用 (15:40-17:20)
(6) 15:40-16:05 [招待講演]Ultra-high intensity, repetitive J-KAREN-P laser system at QST
○Hiromitsu Kiriyama・Mamiko Nishiuchi・Alexander Pirozhkov・Yuji Fukuda・Hironao Sakaki・Akito Sagisaka・Nicholas Dover・Kotaro Kondo・Keita Nishitani・Koichi Ogura・Michiaki Mori・Yasuhiro Miyasaka・Masaki Kando・Kiminori Kondo(QST)
(7) 16:05-16:30 光同期OPCPAのための高エネルギーグリーンレーザーの開発
○宮坂泰弘・桐山博光・岸本 牧・森 道昭・神門正城・近藤公伯(量研機構)
(8) 16:30-16:55 共振器内部に非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効率に関する理論解析
○佐藤 徹・中島直哉・稲吉真一・角谷宏樹・林 啓佑・金武知樹・杉木史弘(福井大)
(9) 16:55-17:20 光無線給電実現に向けた半導体レーザのビームステアリングシステム
○丸山武男・Hendra Adinanta・谷沢元春(金沢大)

2日目:5月26日(金) 午前 (9:00-12:05),午後 (13:10-16:00)

半導体計測 (09:00-10:15)
(10) 09:00-09:25 光電変換デバイスの時間分解テラヘルツ分光
○永井正也・山下元気(阪大)・松原英一(大阪歯科大)・芦田昌明(阪大)
(11) 09:25-09:50 波長板を用いたTHzホール測定
○森本智英・永井正也・芦田昌明(阪大)
(12) 09:50-10:15 光励起したシリコンにおけるテラヘルツパルスの伝播
○守安 毅・笹島秀樹(福井大)・河本敏郎(神戸大)・北原英明・谷 正彦・熊倉光孝(福井大)

10:15-10:25 休憩 (10分)

変調器・受光素子 (10:25-12:05)
(13) 10:25-10:50 シリコン集積素子の光I/O
○徳島正敏(光電子融合基盤技研)
(14) 10:50-11:15 III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器
○開 達郎・相原卓磨・長谷部浩一・藤井拓郎・武田浩司・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治(NTT)
(15) 11:15-11:40 シリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器の設計と高速変調
○高澤弘樹・藪下裕貴・國分泰雄・荒川太郎(横浜国大)
(16) 11:40-12:05 共振型APDを用いた高感度100GbE ROSA開発
○佐藤義也・白尾瑞基・三田大介・大畠伸夫・竹村亮太・畑 端佳・野上正道・有賀 博(三菱電機)

12:05-13:10 休憩 (65分)

赤外・テラヘルツ (13:10-14:00)
(17) 13:10-13:35 二波長同時光パラメトリック増幅によるCEP安定な高強度中赤外パルス光の発生,及びそれを用いた固体中の強電場過程の研究
○金島圭佑(北大)・石井順久・竹内健悟・板谷治郎(東大物性研)
(18) 13:35-14:00 新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討
○安田浩朗(NICT)

14:00-14:10 休憩 (10分)

半導体レーザー (14:10-15:50)
(19) 14:10-14:35 28 Gbit/s-80 km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)
○進藤隆彦・小林 亘・長谷部浩一・藤原直樹・吉松俊英・金澤 慈・大野哲一郎・三条広明・大礒義孝・石井啓之・曽根由明・松崎秀昭(NTT)
(20) 14:35-15:00 25Gbps直接変調レーザを搭載したTO-CANの広温度範囲動作
○白尾瑞基・中村誠希・島田征明・鈴木洋介・境野 剛・野上正道(三菱電機)
(21) 15:00-15:25 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討
○松本 敦・赤羽浩一・梅沢俊匡・山本直克(NICT)
(22) 15:25-15:50 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作
○羽鳥伸明・鄭 錫煥・田中 有(光電子融合基盤技研)

15:50-16:00 閉会挨拶 (10分)